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SNM044R5DRAQ-8/TR

The SNM044R5DRAQ is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in high performance automotive DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product SNM044R5DRAQ is in compliance with RoHS.

产品参数
  • Configuration：Single N
  • VDS (V) (Max.)：40
  • VGS(V) (Max.)：±20V
  • VGS(th) (V) (Typ.)：1.3/1.7/2.1
  • Ron(mΩ)@ 10V：/3.6/4.5
  • Ron(mΩ)@ 4.5V：/5.4/7.1
  • Id(A)：83
  • MPQ：5k
  • 封装：PDFN3333-8L
  • 状态：Sample
下载（应用手册请联系我司业务）
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